| 型号：SI4286DY-T1-GE3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：* | 描述：MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET DUAL N-CHAN 40V SO-8 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 5.7A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 32.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 10.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 375pF @ 20V |
| 功率_最大 | 1.9W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
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| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
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| 深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
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